高分辨 ICP-OES 助力分析釹鐵硼永磁材料。為了能精準(zhǔn)實(shí)施出口管制，釹鐵硼磁鐵中的相關(guān)稀土元素測(cè)試變得尤為重要。目前釹鐵硼中稀土及其他元素的檢 測(cè)標(biāo)準(zhǔn)有《XB/T 617.2-2014 釹鐵硼合金化學(xué)分析方法 第 2 部分：十五個(gè)稀土元素量的測(cè)定》，《釹鐵硼合金化學(xué)分析 方法第 3 部分：硼、鋁、銅、鈷、鎂、硅、鈣、釩、鉻、錳、鎳、鋅和鎵量的測(cè)定》。第一法為電感耦合等離子體發(fā)生 光譜法（ICP-OES）。 但由于稀土元素的原子具有未充滿的 4f 電子層和 4f 電子被外層的 5s5p 電子屏蔽的特性，使得稀土原子 具有有豐富的電子能級(jí)和長(zhǎng)壽命激發(fā)態(tài)，能級(jí)躍遷通道多達(dá) 20 余萬(wàn)個(gè)，可以產(chǎn)生多種多樣的輻射吸收和發(fā)射， 有著極為豐富的光譜譜線。同時(shí)釹鐵硼中另一個(gè)主要組分鐵元素的譜線也是非常豐富的。ICP 測(cè)試時(shí)的譜線干 擾十分嚴(yán)重。如 Sm 靈敏線 359.260nm 同時(shí)受到 Nd359.259nm 及 Fe359.267nm 的干擾，無法用于分析。 下圖為氧化釹的部分發(fā)射譜線及釹鐵硼樣品的部分發(fā)射譜線圖。可以看到樣品基體的光譜譜線極為豐富，如連 綿不絕的群山，給分析帶來極大的干擾。